제조업체 제품 번호:
BSC884N03MS G
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BSC884N03MS G-DG
설명:
MOSFET N-CH 34V 17A/85A TDSON
상세 설명:
N-Channel 34 V 17A (Ta), 85A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
재고:
12851924
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
BSC884N03MS G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
34 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
17A (Ta), 85A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2700 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
BSC884N03MSGDKR
BSC884N03MS GCT
BSC884N03MS GTR-DG
BSC884N03MSGATMA1
BSC884N03MSGTR
2156-BSC884N03MS G-ITTR
BSC884N03MS GCT-DG
SP000507414
BSC884N03MS GDKR-DG
BSC884N03MSG
BSC884N03MSGCT
BSC884N03MS GDKR
BSC884N03MSGXT
BSC884N03MS G-DG
IFEINFBSC884N03MS G
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
BSC042N03MSGATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
4804
부품 번호
BSC042N03MSGATMA1-DG
단가
0.31
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FDMS7672
제조사
Fairchild Semiconductor
구매 가능 수량
2000
부품 번호
FDMS7672-DG
단가
0.49
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
CSD17310Q5A
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
25595
부품 번호
CSD17310Q5A-DG
단가
0.32
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STL90N3LLH6
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
0
부품 번호
STL90N3LLH6-DG
단가
0.61
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
CSD17506Q5A
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
4992
부품 번호
CSD17506Q5A-DG
단가
0.55
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
IRF730ALPBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK
IRF737LCSTRR
MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
MCH6445-TL-E
MOSFET N-CH 60V 4A MCPH6